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DDR2内存步入主流市场已超过一年的时间。随着天生具有极大超频空间的酷睿2系列处理器全面降价、Vista操作系统的逐渐普及，PC产业又将迎来新一轮采购热潮。面对这一状况，相反的是市场中对DDR2内存的认知普遍存在误区。产品线的良莠不齐，误导宣传的此起彼伏，又进一步加剧了市场的混乱。
在这种环境下，我们该如何选择内存？这里要先定义一个大前提，就是本文所面对的用户都是超频者，也就是必然要选购质量优秀的产品、使用中必然要对其超频、目的是充分发挥计算机潜能的用户群体。我们都知道，计算机的三大组成部分为：中央处理器、内存与接口，由此可见内存的重要性。而内存频率大大低于CPU，制约计算机性能的瓶颈主要来自内存。在应用中，内存的频率提升会明显增加系统性能，这都已被无数测试数据所证明。因此，本文所面对的读者，是希望能最大化电脑潜能的用户，而在这个提升的过程中，内存的超频非常重要，这也对内存质量提出更高要求。但是，如果用户购买的内存无法达到期望值，这个责任又是谁来承担呢？这就需要用户了解到产品的本质，能做到自由选择、放心使用。
关于内存的基础知识、工作原理等等枯燥的内容不在本文介绍范围之内，感兴趣的读者可以用搜索引擎找寻相关文章。这里我们直入主题，向同学们揭示DDR2内存产品的真相与超频使用技巧。在您愿意接受这个真相之前，有4个关键词是必须要了解的，这就是：颗粒、频率、延迟、电压。
颗粒、频率、延迟、电压，这四个属性互相作用
颗粒、频率、延迟、电压，作为内存的关键参数，是应该在销售过程中明确标识的数据。举个例子。当有卖家告诉你：我卖的内存可以超到DDR2-1200，只卖XXX元。那么，您首先要看看这是什么型号的颗粒，因为每个型号的颗粒都有其默认频率，而颗粒的销售价格是根据默认频率而定的，通过颗粒与默认频率，你就能大概估算出此内存的最高稳定运行频率与成本价格，进而才能与其他品牌比较来判断此价格是否合理。接着再看延迟与电压，一根能超到DDR2-1200的内存条，延迟也许要放到很宽才行（比如超频玩家能接受的最宽延迟5-5-5-15），但是通常商家在介绍产品时不会提及这个参数，也许他是在6-6-6-18甚至更高的延迟下跑到DDR2-1200的，更有甚者其宣称的DDR2-1200根本不是稳定运行频率。同时，在此频率下的最低电压也必须要明确，因为过高的电压会带来发热高的问题，极大的缩短半导体器件的使用寿命。这四个关键词，卖家都会尽量少提及。一方面是大部分卖家也不知道这些技术参数的意义，只是单纯重复上家告知的“推销卖点”；另一方面则是利益驱使：“又来了一个小白，能多挣点是点”，这就是卖家的心理。
下面来看两个典型：
创见内存标签
这是创见内存上的标签，只有简单的“1GB DDR2 800”的字样。如果这样的内存也能得到用户的信任，那我就辞职当商家去了，就找最便宜的兼容条进货，再印些这样的标签，随便贴哪都是个品牌，至少每根多赚20元吧。
G.SKILL内存标签
正规的标签应该如何？G.SKILL给我们做了一个好榜样，频率、延迟、电压一清二楚。当然，G.SKILL也有不厚道的一面，把颗粒打磨了。关于打磨颗粒的分析，后文还有详细论述。
说到这，我们就可以整个新名词：内存虚标。这词说新其实也不新，电源虚标这个称谓应该被广大用户更为熟知。在内存产品上，虚标的现象屡见不鲜，而且随着内存条品牌的增多，虚标更是大行其道。概括来说，标识不全、标识夸大，凡是掩盖内存产品真相的标签，都属于虚标。
也许有人奇怪了，内存虚标有啥意义啊？如果是假的，上机一检测不就都知道了么？这种产品不会有市场。但实际上在调查过程中，萌萌发现内存虚标现在已经到了非常严重的地步。由于DDR2内存颗粒的超频能力大部分都不弱，因此给了商家虚标的空间。这一切都是利润惹的祸，毕竟一根有牌子的内存报价贵个二三十元用户也是可以接受的，533当667卖利润更是高。回想开篇中介绍的《难以忽视的真相》中的警句：如果用户接受这种行为，那么最后受损的将是所有人，整个内存行业也会越来越混乱。
为了防止被内存虚标误导，就必须更详细的了解颗粒、频率、延迟、电压的概念。同理，在实际应用中也必须关注这4大关键词。要想充分发挥内存的潜能，就必须对您所使用的内存条有准确的认知：颗粒是什么型号的？默认频率是多少？延迟设置到多少合适？加多少电压能超到比较理想的水平？这些都是您试图对内存进行超频之前所必须掌握的知识。
由于PC配件的复杂程度，因此没有特别学习过的用户真的无法看出其中的玄机，吃亏上当很难避免。如果你能仔细阅读本文，那么在DDR2内存上花冤枉钱的几率会降低很多，同时还可享受超频的乐趣，这就是我们的揭示真相的目的所在。接下去，我们将针对这四大关键词进行详细介绍。
颗粒即是指内存条上的RAM芯片，通常在业内也叫做IC芯片或IC颗粒，是内存条的核心部件。这里要纠正一个概念上的误区，萌萌见过不少用户把内存品牌当作颗粒品牌，这是相当严重的错误。虽然很多内存条品牌都将颗粒上的标识印刷成自身名称，但实际上大部分内存条品牌都不出产颗粒（关于这种remark的行为将在后文详细阐述OCER观点）。
目前世界上出产DDR2内存颗粒的主要厂家有：（排名不分先后）
[韩系：Hynix electronic（现代电子）、Samsung Electronic（三星电子）]
[美系：Micron（镁光）]
[德系：Infineon（英飞凌）/Qimonda（奇梦达）]
[台系：Mosel（茂矽）、Nanya（南亚）、PSC（力晶）]
[日系：Elpida（尔必达）]
……
市面中销售的内存条都是采用这些颗粒焊接到PCB上制造而成。而很多品牌为了追求高利润而掩盖真相，往往将颗粒表面打磨成自身的品牌，甚至干脆抹去原有标识留下一个黑底。以下就具体案例进行分析。
虽然颗粒上印刷的名称是PNY，但实际采用的是Micron D9系列颗粒。
PNY 到底怎么想的真不晓得，地球人都知道Micron的颗粒是最值钱的。而PNY却将其二次打磨，这到底是要掩饰什么？莫非这个官方规格为DDR2-1066的产品是用默认DDR2-533的D9GCT颗粒封装而成？官方超频了100%，厉害，镁光的颗粒真的很厉害！Remark成1066，这利润足够让厂家数票子的手抽筋了。
A-DATA Vitesta Extreme Edition DDR2-1066采用镁光D9GMH颗粒，6MD22中的“6”代表06年生产，“M”代表一年中的偶数周。
A-DATA采用镁光D9GMH颗粒的EE版本内存
眼神好的朋友可以仔细观察一下威刚拿来封装的这批镁光颗粒的流水线批号（小号），即在芯片左下角的4位字符。图中展现出的几个颗粒小号均不相同，可是颗粒周期却都是6MD22。这到底寓意着什么呢？既然是超出默认工作频率的产品，厂商在制作前就有必要对其进行筛选，那么小号有差异能否证明是经过筛选的呢？会不会有另一种可能：为了更低的价格拿到颗粒而去向晶圆厂订购UTT或已经被更有实力的大厂筛选过的那些白盘？我们只能替已经选购了这款产品的朋友祈祷不是这种可能了，因为一切都只是猜测，但这些猜测并不是毫无依据。毕竟在我们测试过的众多采用镁光颗粒的内存当中，A-DATA的成绩总是落后的。祝它一路走好！
Leadmax（超胜）在不久前成功获得韩系大厂Hynix（海力士，俗称：现代）内存在中国大陆地区正式授权的唯一总代理，许多朋友开始更多的留意其自有品牌的Leadmax超胜内存条。凭借着DDR时代DT-D43、DT-D5给玩家们留下的好印象，Hynix内存还是深受朋友欢迎的。记得在DDR2时代初期，Infineon势头很劲，更名为Qimonda后似乎少了那几分锋芒，随之而来的Micron D9让朋友们重新看到了希望，大、小D9的表现都很让人满意，不过这其中还有另外一家很有实力的厂商被忽视掉了，那就是Hynix。它的FP-Y5及FP-S5都广受好评，下面先让我们领略一下真正的Y5和S5全貌。
Y5是默认DDR2-667 CL5的芯片
S5是默认DDR2-800 CL5的芯片
既然超胜作为海力士的大陆区唯一授权代理，那么它的产品应该是使用正品Hynix Y/S系列芯片封装而成，可是事实是怎样呢？让我们一起看看现在市面上实际贩售的超胜内存真身：
市场实际拍摄的超胜系列内存实体照
芯片特写，希望朋友们仔细观察，注意细节部分
拿DDR2-667规格来讲，原厂海力士芯片表面字样为：FP-Y5 712AA；而打磨的芯片表面字样为：F-Y5 713Q。不光如此，凭外观也可以看出两者较为明显的区别。“一胖一瘦”还敢出来招摇撞骗，打磨了表面以为就可以瞒天过海？不如直接加个马甲干脆些！
防伪措施貌似做的很完善，但它真的是Hynix颗粒吗？
比较有趣的是：超胜所采用的虽然不是真正的Hynix FP-Y5内存芯片，但其超频性能依然很强大，甚至比起Y5来说有过之而无不及。萌萌有时给同学们推荐OC条时就会顺口说出：买超胜他家的假现代去，根儿根儿稳1000。
其实造成以上原因的理由很简单，还是前面所提到的利润问题。否则超胜也不会冒着风险来背叛海力士的。但有两点必须说明：
一、由于海力士是韩系企业，而中国电子消费市场又具有一定的特殊性，因此就算超胜背信弃义做了对不起海力士的勾当也完全不用担心，只要超胜还时不时的帮海力士出货，海力士就会认为它们之间情缘未了。实际上超胜挂着海力士的“洋头”不知道已经卖出了多少“狗肉”。
二、现在超胜销售的产品分为真、假海力士两个版本，本无可厚非，说实话假的质量也不错，但假的就是假的。可惜芯片本身已被打磨，具体那是谁家的颗粒目前无从考证。
内存产品的档次主要以频率及容量来决定。一般同容量同延迟下标称DDR2-800的内存，售价必然要高过DDR2-667的产品。在实际使用中，频率也是决定性能的关键。在前文我们已经论述过，由于CPU频率远远高于内存频率，因此制约系统性能的瓶颈主要集中在内存方面，而提升内存频率会明显增强系统的整体性能，这也是我们超频的目的。
Memory Prefetch
目前市面中销售的DDR2内存，从频率上划分有多种规格，常见的分别是DDR-533、DDR2-667、DDR2-800、DDR2-1066、DDR2-1200，共五种规格。其中，前三种规格是JEDEC组织定义的标准频率。
JEDEC制订的内存规范
而DDR2-1066与DDR2-1200是厂商自己标称的最高稳定频率，换种说法就是“官方超频”。
在主板支持方面，符合JEDEC标准频率的内存可在现有主流的AM2与酷睿2平台上稳定运行。但是1066与1200规格则容易出现一些问题，在第一次安装这种内存后，主板很可能只会以默认的最保守频率起动（DDR2-800）。这种情况主要由内存的SPD所决定，也有的内存开机会直接以默认标称值启动，比如G.SKILL，这些问题将在未来探讨。总得来说，如果你不懂得如何在主板BIOS中设置成标称频率，那么这种内存是不会充分发挥性能的，也会造成购买资金的浪费。
由于标称频率决定了产品档次，因此这个数值也是最容易被卖家夸大的一面。要想实现高频率是需要很多条件共同作用，就以DDR2 1200为例来说，有些内存只需加电压到2.2V，而有些就需要2.6V以上电压，这甚至超出了前一代产品DDR的默认电压。实际上，很多内存需要高激发电压并放宽参数才可以达到高频，有的甚至对电压和宽参数都不感冒。因此想要超频就先要了解一款产品究竟适合什么条件下运行，厂商在生产这个产品时究竟以什么频率为准去检测并最终确定其规格等。频率只是最后的结果，但实现条件必须要明确，这也是最容易被用户忽视的一面。
在4bit预读取的DDR2平台中，处理器的L2 Cache与效能的关系非常微妙。在处理器同主频的前提下，L2越大，则内存对延迟的敏感程度越低。当然，如果配合16路L2连接的AM2或Intel Core 2 Duo/Extreme/Quad处理器会使效能更加出色。因此，我们在对内存进行优化时，首先要考虑到的就是频率，频率与效率有着直接的关系。延迟是在频率无法提升的前提下需要尽量收紧的，而SubTimings差异在日常应用中的表现更是微乎其微。
总之，让我们用发展的眼光来看待身边的一切事物。当年高频低能的DDR2内存现在已经旧貌换新颜了，领先了DDR内存超过一倍的频率，延迟对效能的影响越来越小。而随着产品的成熟与工艺的不断改进，DDR2内存的价格优势又再次突显出来，频率胜过延迟是DDR2内存设置时应该注意的硬道理！
在上个世纪就接触电脑DIY的朋友应该对Rambus内存还有印象，具有先进串行总线技术的Rambus内存最终只是昙花一现，结果被DDR SDRAM迅速取代。除去价格因素，过高延迟导致的非连续性数据读写效能的低下，是Rambus落败的主要原因。
从随机存储器原理来说，每个数据的保存是利用晶体管的电容效应来发生作用，而电容本身有充放电的时间，这就不可避免的出现时钟延迟现象。
权威检测软件CPU-Z中对Timings的诠释
目前看来，内存的参数主要分为：Timings（基参、主参）与SubTimings（微参、小参）。而CPU-Z中可以体现的主要有：
Frequency（频率）；
FSB：DRAM/CPU：DRAM（分频比值）[视Chipset而定]；
Timings：
一、CAS#Latency；这是最重要的内存参数之一，通常说明内存参数时把它放到第一位，例如4-3-2-5@500MHz ，表示CL为4。一般设置3可以达到更好的性能，但5或以上能提供更佳的稳定性。
CAS表示列地址寻址（Column address Strobe or Column address Select），CAS控制从接受一个指令到执行指令之间的时间。因为CAS主要控制十六进制的地址，或者说是内存矩阵中的列地址，所以它是最为重要的参数，在稳定的前提下应该尽可能设低。内存是根据行和列寻址的，当请求触发后，最初是tRAS（Activeto Precharge Delay），预充电后，内存才真正开始初始化RAS。一旦tRAS激活后，RAS（Row address Strobe）开始进行需要数据的寻址。首先是行地址，然后初始化tRCD，周期结束，接着通过CAS访问所需数据的精确十六进制地址。期间从 CAS开始到CAS结束就是CAS延迟。所以CAS是找到数据的最后一个步骤，也是内存参数中最重要的。
这个参数控制内存接收到一条数据读取指令后要等待多少个时钟周期才实际执行该指令。同时该参数也决定了在一次内存突发传送过程中完成第一部分传送所需要的时钟周期数。这个参数越小，则内存的速度越快。
二、RAS# to CAS# Delay；这个是说明内存参数时排到第二位的数值，例如4-3-2-5@500MHz，表示tRCD为3。
该参数可以控制内存行地址选通脉冲（RAS，Row address Strobe）信号与列地址选通脉冲信号之间的延迟。对内存进行读、写或刷新操作时，需要在这两种脉冲信号之间插入延迟时钟周期。在JEDEC规范中，它是排在第二的参数，出于最佳性能考虑可将该参数设为2，如果系统无法稳定运行则可将该参数设为3或4甚至5、6。同样的，调高此参数可以允许内存运行在更高的频率上且达到更佳的性能，在内存不稳定时可以尝试提高tRCD 。
三、RAS# Precharge；这个是说明内存参数时排到第三位的数值，例如4-3-2-5@500MHz，表示tR为2。
tRP用来设定在另一行能被激活之前RAS需要的充电时间。tRP参数设置太长会导致所有的行激活延迟过长，设为2可以减少预充电时间，从而更快地激活下一行。然而，想要把tRP设为2对大多数内存都是个很高的要求，可能会造成行激活之前的数据丢失，内存控制器不能顺利地完成读写操作。因此，在稳定的前提下建议tRP设为2，万一不够稳定就必须增加到3或4甚至5、6。
四、Cycle Time（Tras）；这个选项控制内存最小的行地址激活时钟周期数（tRAS），它表示一个行地址从激活到复位的时间。
tRAS过长，会严重影响性能。减少tRAS可以使得被激活的行地址更快的复位，然而，tRAS太短也会造成不够时间完成一次突发传送，数据会丢失或者覆盖。最佳设置通常是越低越好。通常，tRAS应该设为tCL+tRCD+2个时钟周期。例如如果 tCL和tRCD分别为4和3个时钟周期，则最佳的tRAS值为9。但如果产生内存错误或系统不稳定，就必须提高tRAS值了。
五、Command Rate；这是内存中最重要的参数，但很多时候它并不在内存时序中存在，更多是把它放在频率后面。
Intel Chipset主板BIOS中一般默认2T，不会提供Command Rate选项
说明：选择2T是在混插不同品牌及型号的内存时增加兼容性的一个好办法。不少主板为保证更好的兼容性将其默认设为2T，您可以根据自己手中内存的体制来试着让它尽量工作在1T下。（Intel平台部分主板无法设置1/2T Command Rate模式）
在SDRAM时代延迟对性能高低的影响非常明显，但随着内存工作频率的提升，到了现在DDR2 SDRAM时代，延迟的作用已经微乎其微了。当然，对于极限玩家冲击超频记录来说，延迟的参数仍是重中之重，因为那几分几毫的差距很可能就是由延迟的不同造成的，这也是极限玩家对低延迟内存趋之若鹜的原因。对于普通用户，延迟的高低在日常应用软件中的影响微乎其微，因此用户在使用DDR2内存中已经没有必要追求低延迟，只要按照标准参数设置即可。
既然延迟的意义变得这样小，我们还讨论它又有什么用？这有两方面的原因：
1、超频用户都有追求完美的心理，高频率低延迟的实现不仅能带来更要的性能（可能就高那么一点儿，但是作为OCER会欣喜若狂），也能让玩家充分展现自己的超频技术。
2、高频率低延迟的内存价格更贵，就像开篇中讨论的DDR2-1200的例子那样，同样都是这个频率，但是延迟低的内存利润要高很多，这也是内存品牌的技术实力体现，同时也是第一点原因中高端玩家需求导致的结果。
正是由于利润的缘故，同样的DDR2-1200，有了低延迟内存的高价，那么其他高延迟内存如果不提这个参数，不是也能卖到同样的价格么？因此很多卖家在延迟参数方面避而不谈，而大部分消费者对此类参数也是含糊不清，最后多花了冤枉钱。
PCB印刷电路板
目前来说，内存的PCB主要分为两大类：晶圆厂自行研发设计的原厂PCB及封装厂广为采用的欣强科技（BrainPower）PCB。
内存大厂不但有自行研发、生产晶圆的实力，同时还会为自家的颗粒量身订做一款电器性能佳、稳定性出色且超频性良好的PCB来配合原厂内存封装使用。因为牵扯的品牌太多（目前Samsung、Micron、Hynix、Infineon/Qimonda都有自家设计的PCB）我们并不需要再次赘述，而反而应该把重点放到有口皆碑的BrainPower PCB上。
BrainPower的PCB被广泛应用在各大内存封装厂商生产的产品之上，相信玩家们也对此非常熟悉。它采用6层板设计，清晰、精简的走线配合繁多的阻容元件可以有效防止传输信号回荡所造成的数据缓冲区益处等现象。而且最重要的是，BrainPower可以为内存封装厂商单独生产个性PCB，如Corsair的高端产品就常采用BP设计的个性PCB来满足用户对内存其它功能方面的需求。
金手指
下图中两款内存PCB的品牌型号是相同的，但仔细观察会发现它们的金手指稍有差别。
绿色PCB的内存金手指为化学工艺制作而成，兰色PCB的内存金手指为电镀工艺制作而成。化学工艺相对成熟稳定且成本更容易控制；电镀金由于工艺的要求，会在尾端的一侧留有一个小尾巴。理论上电镀金手指电器性能更佳且更耐插拔，但这点对于普通用户意义不大，超频玩家还是会更青睐于电镀金手指的。
tRFC与工作温度对内存寿命的影响
目前我可以给网友们参考的提示来自Samsung等厂商的PDF文档，那就是合理设置电压及tREF刷新周期。
很多主板的BIOS中都提供了tRFC选项，标准的两个数值为3.9us和7.8us，有些SubTimings开放的较多的BIOS还提供1.95us和15.6us两个数值。超频玩家一般喜欢用数值小的来加快浮点运算效能或数值大的来增加频宽，但根据上图我们可以看出：当tRFC设置为7.8us时，芯片内核的稳定工作温度为0℃~85℃，而将tRFC设置为3.9us时甚至可以工作在95℃。也就是说，需要加压超频时，合理设置tRFC也同样可以增加内存芯片的极限耐温值。当然这能不能缓解nVIDIA所提到的2.4v激发电压对DRAM硅晶造成不可逆转的影响还有待考证。
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